Mosfety i diody SBD w technologi SiC producenta POTENS

Pojawienie się technologii SiC na rynku rozpoczęło nową erę wydajności, trwałości i efektywności w zastosowaniach wysokonapięciowych. Rozwiązania oparte o węglik krzemu (SiC) stały się pierwszym wyborem dla licznych aplikacji związanych z transformacją napięcia i konwersją mocy. Mosfety SiC dzięki wysokiej wydajności konwersji, odporności na wysokie temperatury oraz niewielkim rozmiarom zyskują popularność w elektroenergetyce, elektromobliności, kolejnictwie oraz innych branżach.

Firma POTENS wiodący producent mosfetów krzemowych oferuje serię mosfetów SiC 650V i 1200V w obudowach TO247 (3 i 4 pinowych) oraz TOLL (TOLeadLess). Zobacz produkty tutaj.

Diody SiC SBD (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode) firmy POTENS są dostępne w pięciu obudowach. Aktualnie zakresy napięcia sięgają od 650 do 1700V, a mocy od 4A do 40A. Produkty w tabeli poniżej opisane na czarno są już dostępne, natomiast niebieskie są jeszcze w fazie opracowania.

Zapytanie ofertowe, pomoc techniczna: aktywne@maritex.com.pl